あらまし

新デバイスの動向

谷内 利明 

Vol.101 No.4pp.372-376

発行日:2018/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集 次世代を切り開く情報通信エネルギー技術

専門分野:

キーワード:
パワーMOSトランジスタSi限界ワイドバンドギャップ半導体シリコンカーバイト窒化ガリウム

本文:PDF(622.3KB)

あらまし:
情報通信機器のパワーエレクトロニクス回路では,スイッチ素子としてシリコン(Si)パワーMOSFETが広く用いられてきた.SiパワーMOSFETの性能向上は,微細化プロセスによるオン抵抗の低減で行われてきたが,材料特性に伴う技術限界いわゆるSi限界に達している.Si限界を超えるデバイス実現のため,シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いたワイドバンドギャップ半導体デバイスの開発が進められており,現在実用に供する段階に達しつつある.本稿では,この新デバイスの特性や特徴について概説する.

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