あらまし

化合物半導体を用いたテラヘルツモノリシック集積回路技術

川野 陽一 濱田 裕史 

Vol.101 No.6pp.546-553

発行日:2018/06/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集 テラヘルツデバイスの新潮流

専門分野:

キーワード:
InPテラヘルツMMIC増幅器HEMT

本文:PDF(1.6MB)

あらまし:
テラヘルツギャップのために埋もれている新しいセンシング技術や大容量通信の可能性を探索し,産業に変えてゆくためには,使いやすく,低価格,かつ小形な装置が必要となる.その目的のために,電子デバイス側からテラヘルツギャップを埋めていく意義がある.電子デバイス領域には,材料,デバイス,回路設計環境や実装技術にわたる幅広い分野に産業の裾野が広がっており,新規技術を民生展開しやすい環境が整っている.本稿では,テラヘルツ帯を開拓するための基本となる化合物半導体によるテラヘルツ帯増幅器技術に関して述べる.

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