あらまし

テラヘルツ通信で新しい応用を開くシリコン集積回路

藤島 実 

Vol.101 No.6pp.554-560

発行日:2018/06/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集 テラヘルツデバイスの新潮流

専門分野:

キーワード:
テラヘルツシリコン集積回路通信CMOSBiCMOS

本文:PDF(930.1KB)

あらまし:
超高周波を用いるテラヘルツ帯通信には高周波性能の勝る化合物半導体がこれまで研究で用いられてきた.一方で,275GHzを超える未割当の周波数帯が今後通信に利用できる期待から300GHz帯と呼ばれる周波数を用いるテラヘルツ通信が注目を集めている.この300GHz帯において,シリコンゲルマニウムトランジスタを用いるBiCMOS集積回路と微細化の進むCMOS集積回路を用いた無線通信回路の研究が増えてきた.本稿では,この2種類の量産に優れるシリコン集積回路を用いたテラヘルツ通信技術の概要を説明し,その応用と将来を議論する.

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