あらまし

三次元積層論理回路によるシステムLSI設計技術

渡辺 重佳 

Vol.102 No.1pp.74-78

発行日:2019/01/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
積層論理回路ムーアの法則微細化の限界TSV三次元形フラッシュメモリ

本文:PDF(618.8KB)>>

記事を購入

あらまし:
LSIは過去ムーアの法則に従って平面トランジスタの微細化が進み,大容量化,低コスト化,高速化,低消費電力化が着実に進められてきた.この平面トランジスタの微細化もショートチャネル効果等のため近年限界に近付いている.本稿ではまず現在の平面トランジスタを用いた平面論理回路の設計法とその課題について述べる.次にこの課題を解決するために提案された平面論理回路を縦方向に積層した積層論理回路について述べ,最後に三次元形メモリの製造技術を用いた新しい積層論理回路について解説する.

ログイン

 > 

パスワードを忘れた場合は

メニュー

Online ISSN:2188-2355