あらまし

受信用超低雑音・低ひずみ・高耐圧GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタを開発

電子情報通信学会 

Vol.86 No.5pp.375-375

発行日:2003/05/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:ニュース解説

専門分野:

キーワード:
---

本文:PDF(332.8KB)>>

記事を購入

あらまし:

ログイン

 > 

パスワードを忘れた場合は

メニュー

Online ISSN:2188-2355

…ジュニア会員・学生員に
 お勧めの記事