あらまし

45nm/32nm世代ULSI対応の最先端配線技術

林　喜宏 

Vol.91 No.3pp.183-188

発行日:2008/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術

専門分野:

キーワード:
多層配線, モデリング, 低誘電率層間絶縁膜, 電子散乱, 

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あらまし:
45nm/32nm世代LSIでは，多層配線の層間絶縁膜には，自己整合反応を利用してナノレベルで空孔構造が制御された多孔質Low-k膜が導入される．また，Cu配線金属もナノレベルの構造制御がなされる．45nm/32nm世代LSI デバイスの高性能化及び高信頼性化には，材料物理化学に基づいた材料物性制御が必要不可欠となる．

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