あらまし

混載不揮発性メモリ技術の動向

日高　秀人 

Vol.92 No.2pp.131-137

発行日:2009/02/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
混載フラッシュメモリ, スプリットゲートセル, SONOS, MCU, ユニファイドメモリ, 

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あらまし:
半導体LSIにおける混載不揮発性メモリの動向を，フラッシュメモリ及びポストフラッシュメモリについて述べる．混載フラッシュメモリは，MCU（マイクロコントローラ）への混載用途として成長して一大産業史を形成し，SRAMに次ぐ第2の混載メモリ市場を形成しているが，このデバイス技術，応用分野レビューと今後の展望を述べる．また，次世代メモリといわれる新物理原理メモリの必要性，技術展望と応用可能性，特にMCUなど混載メモリ用途における不揮発性RAMの展望と今後の研究開発課題を述べる．

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