あらまし

MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき

平本　俊郎 竹内　潔 西田　彰男 

Vol.92 No.6pp.416-426

発行日:2009/06/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策

専門分野:

キーワード:
特性ばらつき, 不純物揺らぎ, 微細化, 

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あらまし:
MOSトランジスタはゲート長が100nm以下にまで微細化され，特性ばらつきの問題が顕在化してきた．設計上同じサイズのトランジスタであっても，製造されたトランジスタごとに特性が異なり，その結果，回路が正常に動作しないなどの現象が引き起こされている．特性ばらつきの原因は多岐にわたっており，定量的には未解明の部分が多い．本稿では，特性ばらつきの現状を紹介するとともに，その原因と対策について最新の動向を紹介する．

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