極限集積化を目指すスーパチップ
Vol.93 No.11pp.918-922
発行日:2010/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術──2020年を見据えて──
専門分野:
キーワード:
三次元LSI, シリコン貫通配線(TSV), ウェーハ積層, ウェーハ接合, セルフアセンブリ, マイクロバンプ,
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あらまし:
これまで,LSI は,半導体素子の微細化により,著しい速度で高性能化,大容量化が達成されてきた.しかし,素子の微細化に伴い,漏れ電流の増加や特性ばらつきの増加など,素子の微細化を妨げる要因が顕在化してきている.そのため,今後のLSI 開発は,これらの要因を取り除きながら素子の微細化を更に進める手法(More Moore 技術)と,異種技術を融合する新しい集積化手法(More than Moore技術)を協調,共存させながら進めていくことが重要になる.本稿では,異種技術集積化の代表的な例として,スーパチップと呼ばれる新しい三次元集積化技術について言及する.