あらまし

極低電圧動作による低エネルギーLSI

高宮　真 篠原　尋史 桜井　貴康 

Vol.93 No.11pp.943-947

発行日:2010/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術──2020年を見据えて──

専門分野:

キーワード:
LSI, 極低電圧, 低エネルギー, 低消費電力, ばらつき, 

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あらまし:
LSI の極低電圧化はLSI の低エネルギー化に有効であるだけでなく，センサネットや健康分野等の極低電力アプリケーションを拡大する上での技術的推進力となる重要技術である．LSI の極低電圧動作は従来とはけた違いのばらつきを伴うため，LSI 設計者に挑戦的な課題を突きつけている．本稿では，論理回路を中心にLSI を構成する各回路の極低電圧化の課題と最新動向を整理し，新しい応用分野の方向性と将来展望を示す．

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