あらまし

低電圧動作限界に挑戦する極低消費電力LSI 回路技術の最新動向

高宮　真 篠原　尋史 桜井　貴康 

Vol.95 No.11pp.974-978

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
LSI, 低電圧, 低エネルギー, 低消費電力, ばらつき, 

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あらまし:
LSI を0.5 V 以下の低電圧で動作させることにより，エネルギー効率を約1 桁向上させることができる．しかし，LSIの低電圧化は容易ではない．LSI の低電圧化を可能にする技術として，①細粒度の製造後特性ばらつき補正技術として，「トランジスタへのストレス印加」と「機能ブロック内の細粒度電源電圧制御」，②局所ゲート昇圧によるトランジスタの抵抗損低減技術，③アナログ回路のディジタル化の三つの技術を紹介する．

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