あらまし

限界に挑戦するフラッシュメモリとSSD の最新動向

竹内 健 

Vol.95 No.11pp.979-985

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
フラッシュメモリSSDデータセンターナノテクノロジー

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あらまし:
NAND 形フラッシュメモリはディジタルカメラ・携帯電話・音楽プレーヤ等の携帯デバイスの記憶媒体として使用されている.更に,フラッシュメモリ・NAND コントローラ・DRAM で構成されるソリッドステートドライブ(SSD)として,パソコンやデータセンターのサーバなどのHDD を置き換え,消費電力が少なく地球環境に優しいIT システムを実現することが期待されている.フラッシュメモリは現在20 nm 技術により64 Gbit まで大容量化されているが,データセンターではTbit 以上の大容量が必要とされ,フラッシュメモリのより一層の低消費電力化・高信頼性化・大容量化が求められている.本稿ではフラッシュメモリ及びSSD の現状と将来動向を紹介する.

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