あらまし

Si パワーエレクトロニクス（最先端IGBT）の最新動向

佐藤　克己 

Vol.95 No.11pp.998-1002

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
IGBT, 高パワー密度化, 薄ウェーハ化, RFC構造, トランスファモールド, 

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あらまし:
エネルギー需要は増加の一途であり，パワーエレクトロニクス技術の発展によるエネルギーの効率的な運用が必要不可欠である．パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は，チップの構造・プロセス設計技術だけでなく，高温化・高信頼性を追及したパッケージ技術も合わせて重要な技術要素を基に成り立っている．これら技術要素を含めた最先端IGBTの動向を述べる．

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