あらまし

不揮発性メモリ向け符号化方式

鎌部　浩 

Vol.96 No.6pp.417-421

発行日:2013/06/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
不揮発性メモリ, フラッシュメモリ, 制約符号, 相転移メモリ, メモリスタ, 

本文:PDF(508.3KB)>>

記事を購入

あらまし:
フラッシュメモリに代表される不揮発性半導体メモリは，可動部品がない，消費電力が少ない，アクセススピードが高速などの理由で，様々な機器，特に携帯機器での使用が急速に拡大している．ハードディスクなどの記録装置では，誤り訂正符号のほかに，記録に適した系列に変換するために制約符号を利用するが，不揮発性半導体メモリに対しても，寿命を延ばす，読出し時の誤り確率の低減，などを目的とした符号化を利用する方式が提案され活発な研究が行われている．本稿では，そうした符号化の幾つかについて解説する．

ログイン

 > 

パスワードを忘れた場合は

メニュー

Online ISSN:2188-2355

…ジュニア会員・学生員に
　お勧めの記事