溶液から作る酸化物薄膜トランジスタ――溶液プロセスを用いた全酸化物薄膜トランジスタの作製と評価――

徳光　永輔; 下田　達也

あらまし

徳光　永輔下田　達也

Vol.97 No.3pp.187-192

発行日:2014/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望

専門分野:

キーワード:
溶液プロセス, 酸化物半導体, 薄膜トランジスタ, ディスプレイ,

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あらまし:
溶液プロセスはポストシリコン時代の新しい半導体素子作製プロセスとして期待されている．特に酸化物材料は溶液からの形成に適しており，近年実用化が進んでいる酸化物半導体チャネルの薄膜トランジスタの分野では研究が活発化している．本稿では，最初に溶液プロセスの基礎を述べた後，酸化物半導体In-Zn-O薄膜の溶液プロセスによる形成例を紹介する．次いで，電極を含め，チャネル，ゲート絶縁膜まで全ての層を溶液プロセスから形成した薄膜トランジスタの作製について筆者らの研究を紹介し，最後に将来展望を述べる．

あらまし

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