機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM――メモリ動作の信頼性向上を目指して――

秋永　広幸; 玉井　幸夫; 島　久; 粟屋　信義

あらまし

秋永　広幸玉井　幸夫島　久粟屋　信義

Vol.97 No.3pp.198-204

発行日:2014/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望

専門分野:

キーワード:
RRAM, ランダムアクセスメモリ, クロスポイントメモリセル, 抵抗スイッチ効果, 酸化還元反応,

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あらまし:
抵抗変化ランダムアクセスメモリ（RRAM）は，機能性酸化物の不揮発性抵抗スイッチ効果を利用したメモリである．この抵抗スイッチ効果は，電流誘起の酸化還元反応によるものであり，抵抗変化が高速かつ巨大であって，原理的にはその巨大な抵抗変化比を保ったまま超微細化できるという特長を備えている．一方で，抵抗変化の起源が固体化学反応であることから，メモリ動作における抵抗値の安定性に幾つかの課題がある．本稿では，信頼性向上に向けた技術課題を中心に，RRAM研究開発の現状と将来展望を解説する．

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