あらまし

-族化合物半導体量子井戸を用いた太陽電池の高効率化

杉山 正和 

Vol.99 No.2pp.149-154

発行日:2016/02/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
太陽電池-族化合物半導体量子井戸多接合MOVPE

本文:PDF(1MB)

あらまし:
-族化合物半導体のエピタキシャル結晶を用いた多接合太陽電池は,最高の変換効率を樹立している技術である.高効率化の鍵はサブセル間の電流整合を達成するバンドギャップ(材料)の組合せにあり,高品位なエピタキシャル成長に必須の格子整合とのトレードオフを打破する技術開発が進められている.ひずみ補償量子井戸超格子を太陽電池に挿入することで,光吸収端とひずみ補償による実効的な格子定数を独立に制御でき,格子整合系の成長技術を用いつつサブセル間の電流整合による高効率化が達成可能である.本稿では,太陽電池に求められる高品位なInGaAs/GaAsPひずみ補償超格子のMOVPEによる成長と,光励起キャリヤの外部回路への取出しを効率化するための設計指針について述べる.

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