Author Search Result：菅野卓雄(43hit)

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Vol.55 No.4 pp.498-501  
4．2　シリコン表面反転層中の電導現象
菅野卓雄 
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Vol.54 No.9 pp.1268-1275  
電荷結合素子
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(483.9KB)

Vol.52 No.9 pp.1071-1073  
1969　ISSCCに出席して
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(217.5KB)

Vol.51 No.3 pp.390-391  
半導体の物理に関する図書紹介
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(213.9KB)

Vol.51 No.3 pp.332-341  
半導体の物理〔完〕
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(629.4KB)

Vol.51 No.2 pp.217-227  
半導体の物理〔II〕
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(647.5KB)

Vol.51 No.1 pp.106-115  
半導体の物理〔I〕
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(626.7KB)

Vol.50 No.6 pp.1045-1052  
シリコンと二，三の金属との接触の特性
菅野卓雄 森野明彦 越賀夫差子 三島克彦 西干機 松田誠道 
Summary | Full Text:PDF(541.5KB)

Vol.50 No.6 pp.1053-1060  
ショットキーダイオードの設計と試作
菅野卓雄 森野明彦 
Summary | Full Text:PDF(533.9KB)

Vol.49 No.10 pp.1887-1895  
Si～SiO2界面における熱応力とひずみ
菅野卓雄 懸本和朗 
Summary | Full Text:PDF(505.8KB)

Vol.49 No.4 pp.575-583  
半導体素子
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(702.3KB)

Vol.47 No.12 pp.1904-1905  
第47巻第1号掲載有住，和田両氏の論文に対する討論
柳井久義 菅野卓雄 多田邦彦 
Summary | Full Text:PDF(147.3KB)

Vol.47 No.4 pp.629-637  
トランジスタの小信号動作理論に対する基礎的一考察
柳井久義 菅野卓雄 鈴木角五郎 多田邦雄 佐々木新 
Summary | Full Text:PDF(517.1KB)

Vol.46 No.4 pp.577-582  
コレクタでの少数キャリア蓄積効果とトランジスタの蓄積時間
柳井久義 菅野卓雄 多田邦雄 
Summary | Full Text:PDF(389.2KB)

Vol.46 No.3 pp.323-329  
多層RC分布定数素子とその特性
柳井久義 菅野卓雄 佐々木元 吉田実 
Summary | Full Text:PDF(445.9KB)

Vol.45 No.8 pp.1064-1070  
ドリフト・トランジスタの電流増幅率の周波数特性
菅野卓雄 越賀夫差子 
Summary | Full Text:PDF(392.8KB)

Vol.44 No.5 pp.850-851  
春日井，西沢両氏の討論に対する回答
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(182.6KB)

Vol.43 No.4 pp.418-423  
（A）概説
柳井久義 菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(450.7KB)

Vol.43 No.3 pp.280-285  
合金接合トランジスタのベース抵抗
菅野卓雄 
Summary | Full Text:PDF(381.3KB)

Vol.43 No.1 pp.19-25  
トランジスタの低周波（0．1～100kc）hパラメタ測定器
柳井久義 菅野卓雄 片山芳昭 
Summary | Full Text:PDF(459.7KB)

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Online ISSN:2188-2355