著者検索結果：トランジスタ(12件)
| 1～12件 |
| Vol.105 No.12 pp.1407-1413 シリコンスピンMOSFETにおけるラシュバ効果によるスピン操作 李 垂範 安藤 裕一郎 白石 誠司 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.105 No.3 pp.216-224 バイオと電子デバイスをつなぐ界面と新たなバイオセンシングへの展望 坂田 利弥 | あらまし | 本文:PDF(2.1MB) |
| Vol.103 No.10 pp.1016-1022 WPTシステム実現のための高周波GaNパワーデバイス 天野 浩 | あらまし | 本文:PDF(1.3MB) |
| Vol.103 No.3 pp.275-281 高温動作シリコン量子ビットとその量子干渉効果 大野 圭司 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.101 No.4 pp.372-376 新デバイスの動向 谷内 利明 | あらまし | 本文:PDF(622.3KB) |
| Vol.97 No.3 pp.187-192 溶液から作る酸化物薄膜トランジスタ――溶液プロセスを用いた全酸化物薄膜トランジスタの作製と評価―― 徳光 永輔 下田 達也 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.97 No.3 pp.193-197 アモルファスInGaZnO4薄膜トランジスタのトップゲート効果解析 竹知 和重 岩松 新之輔 | あらまし | 本文:PDF(1MB) |
| Vol.97 No.3 pp.227-232 ZnOヘテロ構造を用いた光・電子素子応用への展望 塚﨑 敦 小塚 裕介 川﨑 雅司 | あらまし | 本文:PDF(1.4MB) |
| Vol.96 No.6 pp.429-434 低消費電力・高性能デバイスを実現する22 nmトランジスタ技術 北野 直樹 | あらまし | 本文:PDF(1.3MB) |
| Vol.95 No.11 pp.1009-1013 GaNパワーデバイスの進展と展望 上田 哲三 | あらまし | 本文:PDF(1.4MB) |
| Vol.92 No.1 pp.49-54 高品質塗布ペンタセン薄膜と薄膜トランジスタ 南方 尚 | あらまし | 本文:PDF(1.6MB) |
| Vol.91 No.2 pp.117-122 超高周波トランジスタ電力増幅器のひずみ特性及びその低減  山 洋一郎 | あらまし | 本文:PDF(557.5KB) |
ログイン
メニュー
Online ISSN:2188-2355
…ジュニア会員・学生員にお勧めの記事