著者検索結果：メモリ(28件)
| Vol.107 No.4 pp.289-295 不揮発性メモリを用いたニューロモルフィックAIハードウェアの最新技術と今後の展望 野村 修 森江 隆 | あらまし | 本文:PDF(883.7KB) |
| Vol.107 No.4 pp.334-339 相転移材料の最新動向とニューロモルフィックデバイスへの応用 双 逸 姜 信英 須藤 祐司 | あらまし | 本文:PDF(781.1KB) |
| Vol.107 No.4 pp.319-326 強誘電体メモリの特徴と技術の進展 酒井 滋樹 高橋 光恵 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.107 No.4 pp.311-318 生体神経機能を模倣する人工シナプスメモリスタ素子 酒井 朗 | あらまし | 本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.107 No.4 pp.296-303 三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用 三谷 祐一郎 | あらまし | 本文:PDF(1.3MB) |
| Vol.105 No.12 pp.1414-1420 強磁性トンネル接合素子の強磁性電極材料 永沼 博 | あらまし | 本文:PDF(1.7MB) |
| Vol.105 No.12 pp.1427-1433 バッファメモリ向け三次元積層CIS対応40nm混載STT-MRAMの開発 別所 和宏 | あらまし | 本文:PDF(1.2MB) |
| Vol.103 No.5 pp.543-548 不揮発性メモリを用いたAIチップの実装技術 河野 和幸 | あらまし | 本文:PDF(1.5MB) |
| Vol.102 No.1 pp.74-78 三次元積層論理回路によるシステムLSI設計技術 渡辺 重佳 | あらまし | 本文:PDF(618.8KB) |
| Vol.101 No.12 pp.1219-1223 ソフトウェアの生産性に着目したGPUプログラミングの方法論に関する研究動向 土井 淳 | あらまし | 本文:PDF(470.4KB) |
| Vol.100 No.9 pp.884-889 無償公開 コンピュータシステムを創り出したエレクトロニクス 清水 徹 冨嶋 茂樹 中村 宏 | あらまし | Free本文:PDF(1.1MB) |
| Vol.98 No.12 pp.1051-1056 長期保存へ向けた半導体メモリの課題と展望 竹内 健 | あらまし | 本文:PDF(929.7KB) |
| Vol.98 No.12 pp.1057-1062 半導体ディジタルロゼッタストーン 黒田 忠広 | あらまし | 本文:PDF(1.2MB) |
| Vol.98 No.12 pp.1069-1075 意味理解を保障するメモリ・システムの構築へ向けて 小林 敏夫 | あらまし | 本文:PDF(981.1KB) |
| Vol.98 No.12 pp.1048-1050 超長期保存メモリ・システムの社会的インパクトを見積もる 江連 三香 | あらまし | 本文:PDF(379.3KB) |
| Vol.98 No.12 pp.1038-1042 無償公開 ディジタルデータの長期保存における課題と戦略 石原 直 | あらまし | Free本文:PDF(798.6KB) |
| Vol.97 No.12 pp.1097-1102 超大規模なグラフ構造の効率的な処理技術 戸田 貴久 竹内 聖悟 美添 一樹 | あらまし | 本文:PDF(581.4KB) |
| Vol.97 No.9 pp.799-805 超伝導量子ビットと電子スピン集団のハイブリッド系 齊藤 志郎 松崎 雄一郎 William J. MUNRO 仙場 浩一 | あらまし | 本文:PDF(1.2MB) |
| Vol.97 No.3 pp.198-204 機能性酸化物を用いた不揮発性メモリRRAM――メモリ動作の信頼性向上を目指して―― 秋永 広幸 玉井 幸夫 島 久 粟屋 信義 | あらまし | 本文:PDF(1.4MB) |
| Vol.96 No.6 pp.417-421 不揮発性メモリ向け符号化方式 鎌部 浩 | あらまし | 本文:PDF(508.3KB) |
ログイン
メニュー
Online ISSN:2188-2355
…ジュニア会員・学生員にお勧めの記事