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Vol.103 No.10 pp.1016-1022 WPTシステム実現のための高周波GaNパワーデバイス 天野 浩 | あらまし | 本文:PDF(1.3MB) |
Vol.98 No.4 pp.300-306 先端CMOSデバイス・プロセス技術の現状と展望 池田 圭司 入沢 寿史 手塚 勉 | あらまし | 本文:PDF(1.2MB) |
Vol.95 No.11 pp.969-973 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 高木 信一 竹中 充 | あらまし | 本文:PDF(1MB) |
Vol.93 No.11 pp.904-908 Si プラットホーム上の新材料チャネルCMOS 高木 信一 竹中 充 | あらまし | 本文:PDF(994.2KB) |
Vol.91 No.1 pp.20-24 マルチゲートFinFETのシミュレーション 大村 泰久 | あらまし | 本文:PDF(590.9KB) |