高温動作シリコン量子ビットとその量子干渉効果

大野　圭司

あらまし

大野　圭司

Vol.103 No.3pp.275-281

発行日:2020/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　量子技術に着想を得た次世代コンピューティング

専門分野:

キーワード:
深い不純物, トンネル電界効果トランジスタ, 単一電子伝導, スピン閉鎖,

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あらまし:
シリコン単結晶中の局在電子スピンを用いた量子ビット（シリコン量子ビット）は既存のシリコン技術との整合性の良さから，既存計算機へ量子技術を導入するための突破口として期待されている．しかしながら0.1K以下といった非常に低い動作温度が応用展開を阻む要因の一つであった．我々はシリコンの深い不純物及び，トンネル電界効果トランジスタ素子構造を採用することで，シリコン量子ビットの動作温度を10Kまで向上させた⁽¹⁾．また素子ゲート電圧による量子ビットエネルギーの高速変調により単一量子ビットの量子干渉効果を観測した⁽²⁾．

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