シリコンスピンMOSFETにおけるラシュバ効果によるスピン操作

李　垂範; 安藤　裕一郎; 白石　誠司

あらまし

李　垂範安藤　裕一郎白石　誠司

Vol.105 No.12pp.1407-1413

発行日:2022/12/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　電子スピンの回路とシステムへの応用

専門分野:

キーワード:
半導体スピントロニクス, スピントランジスタ, スピン輸送, スピン流, スピン軌道相互作用,

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あらまし:
金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）にスピン機能を付加し，高機能化を図る「スピンMOSFET」が注目されており，実用化に向けた研究も進められている．その一方で，より高機能なデバイスの創成を目指し，チャネル中のスピンの精密操作を試みる研究もある．特にゲート電界を用いたスピン操作は汎用性，局所制御性の点で優れる．しかし，スピン軌道相互作用がその本質にあるため，MOSFETの主要材料であるシリコンでは実現困難とされてきた，我々はシリコンのMOS構造における電界に着目し，ラシュバ型スピン軌道相互作用がゲート電界により発現し，予想に反して大きいことを発見した．

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