あらまし
SiCパワーデバイスにおける最近の研究開発
Vol.107 No.11pp.1051-1055
発行日:2024/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 モビリティの最新技術と今後の展望
専門分野:
キーワード:
低炭素社会, パワーエレクトロニクス機器, パワーデバイス, SiC,
本文:PDF(727.3KB)>>
あらまし:
低炭素社会の実現にはエネルギーを効率的に使用する必要があり，家電製品から産業・鉄道車両用機器・自動車などで使用されるパワーエレクトロニクス機器の省エネ化が重要である．これらの機器に用いられるパワー半導体モジュールのキーパーツはパワー半導体デバイス（パワーデバイス）であり，更なる高効率化・小形化・高信頼性化が求められている．このニーズに応えるため，ワイドバンドギャップ半導体であるSiCパワーデバイスの加速的な普及が期待されている．本稿ではSiCパワーデバイスの研究開発における最新動向をまとめる．
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