大容量光配線に向けたメンブレン化合物半導体光デバイス
開 達郎 武田 浩司 藤井 拓郎 相原 卓磨 前田 圭穂 佐藤 具就 松尾 慎治
Vol.108 No.1pp.50-56
発行日:2025/01/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:解説
専門分野:
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あらまし:
データセンタートラヒックの増大やAI需要の高まりに伴い,情報通信機器間を接続する大容量光配線が強く求められており,光送受信機は小形化,高速化,低消費電力化の全てを満たすことが課題となっている.この課題に対し,量産性と高集積性に優れたシリコン(Si)光回路上に化合物半導体光デバイスを集積する技術が注目されている.特に,薄膜(メンブレン)構造を有するInP系光デバイスは強い光閉込めと小さな静電容量を両立する構造であり,光変調デバイスの高速化,低消費電力化を可能とする大容量光配線のキー技術である.