65nm世代以降に適した新構造のSOIデバイスを開発-基板バイアス制御により,20%の高速化と10分の1の低電力化を実現-
The Institute of Electronics,Information and Communication Engineers
Vol.88 No.4 pp.298-301
Publication Date:2005/04/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
Type of Manuscript:News Commentary
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