世界初, 窒化ガリウム(GaN)縦型トランジスタを開発 ──GaN 系パワートランジスタの低コスト化を実現──
電子情報通信学会
Vol.89 No.10pp.925-926
発行日:2006/10/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:ニュース解説
専門分野:
キーワード:---
本文:PDF(1MB)>>
あらまし:
パスワードを忘れた場合は