あらまし

量子ドットレーザと光増幅器

菅原 充 

Vol.91 No.11pp.995-1001

発行日:2008/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集 進化する先端フォトニックデバイス

専門分野:

キーワード:
量子ドット量子ドットレーザ量子ドット光増幅器光通信自己形成

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あらまし:
半導体光デバイスの活性層に直径10~20nm程度の半導体微結晶である量子ドットを導入することによって,デバイスの性能を飛躍的に向上させることができる.本稿では,この量子ドットを利用した光通信用デバイスとして,波長1.3μm帯で温度安定に10Gbit/sの高速で動作する量子ドットレーザと,波長1.5μm帯で広帯域(>100nm),高利得(>20dB),高出力(>20dBm)で動作する量子ドット光増幅器を紹介する.これらのデバイスはNEDOの支援と東京大学・富士通の産学連携に基づいて開発され,現在ベンチャー企業(株)QDレーザで事業化が進められている.

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