あらまし

カーボンナノチューブを用いたVLSI配線

二瓶　瑞久 粟野　祐二 

Vol.91 No.3pp.189-193

発行日:2008/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術

専門分野:

キーワード:
カーボンナノチューブ, 配線, 熱CVD, バリスティック伝導, 

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あらまし:
従来LSIに用いられてきた銅（Cu）配線は，今後更なる微細化に伴い，配線抵抗の増大と許容電流密度耐性の面で限界が訪れる．これらの課題を解決する次世代配線材料の候補としてカーボンナノチューブ（CNT）を用いた配線ビアの研究を行っている．MIRAIプロジェクトでは，配線幅が32nmとなるhp32nm世代（実用化時期2013年以降）でのCNTビア応用を目指して，多数本のCNT束内でのバリスティック伝導を観測した．これによって，従来用いられているCu配線を上回る低抵抗・高信頼性を有するCNTビアの実現が期待される．

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