カーボンナノチューブを用いたVLSI配線
Vol.91 No.3pp.189-193
発行日:2008/03/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術
専門分野:
キーワード:
カーボンナノチューブ, 配線, 熱CVD, バリスティック伝導,
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あらまし:
従来LSIに用いられてきた銅(Cu)配線は,今後更なる微細化に伴い,配線抵抗の増大と許容電流密度耐性の面で限界が訪れる.これらの課題を解決する次世代配線材料の候補としてカーボンナノチューブ(CNT)を用いた配線ビアの研究を行っている.MIRAIプロジェクトでは,配線幅が32nmとなるhp32nm世代(実用化時期2013年以降)でのCNTビア応用を目指して,多数本のCNT束内でのバリスティック伝導を観測した.これによって,従来用いられているCu配線を上回る低抵抗・高信頼性を有するCNTビアの実現が期待される.