混載不揮発性メモリ技術の動向
Vol.92 No.2pp.131-137
発行日:2009/02/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:解説
専門分野:
キーワード:
混載フラッシュメモリ, スプリットゲートセル, SONOS, MCU, ユニファイドメモリ,
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あらまし:
半導体LSIにおける混載不揮発性メモリの動向を,フラッシュメモリ及びポストフラッシュメモリについて述べる.混載フラッシュメモリは,MCU(マイクロコントローラ)への混載用途として成長して一大産業史を形成し,SRAMに次ぐ第2の混載メモリ市場を形成しているが,このデバイス技術,応用分野レビューと今後の展望を述べる.また,次世代メモリといわれる新物理原理メモリの必要性,技術展望と応用可能性,特にMCUなど混載メモリ用途における不揮発性RAMの展望と今後の研究開発課題を述べる.