あらまし
SRAMにおける素子ばらつきの影響と対策
Vol.92 No.6pp.427-432
発行日:2009/06/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策
専門分野:
キーワード:
SRAM, Vth, ウィンドウ, 動作マージン, 電源制御,
本文:PDF(871.3KB)>>
あらまし:
LSIを構成するトランジスタのしきい値電圧（Vth）ばらつきの増大，及び，電源電圧の低下に伴い，SRAMの動作が困難となっている．SRAMはLSIの中でも特にばらつきに弱い回路であるといわれている．本稿では，なぜSRAMがトランジスタの特性ばらつきに弱いかを解説し，SRAMの読出し・書込みという2種類の動作に必要な動作マージンとばらつきとの関係を明らかにするための手法を紹介する．更に，最新のSRAMにおけるばらつきの低減手法，及びばらつきに強いSRAM回路技術対策について解説する．
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