SRAMにおける素子ばらつきの影響と対策
Vol.92 No.6pp.427-432
発行日:2009/06/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:小特集 CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策
専門分野:
キーワード:
SRAM, Vth, ウィンドウ, 動作マージン, 電源制御,
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あらまし:
LSIを構成するトランジスタのしきい値電圧(Vth)ばらつきの増大,及び,電源電圧の低下に伴い,SRAMの動作が困難となっている.SRAMはLSIの中でも特にばらつきに弱い回路であるといわれている.本稿では,なぜSRAMがトランジスタの特性ばらつきに弱いかを解説し,SRAMの読出し・書込みという2種類の動作に必要な動作マージンとばらつきとの関係を明らかにするための手法を紹介する.更に,最新のSRAMにおけるばらつきの低減手法,及びばらつきに強いSRAM回路技術対策について解説する.