あらまし

強誘電体メモリ技術

川嶋　将一郎 石原　宏 

Vol.92 No.8pp.682-689

発行日:2009/08/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:解説

専門分野:

キーワード:
強誘電体メモリ, FeRAM, 2T2C, 残留分極, 減極, 

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あらまし:
強誘電体メモリ（FeRAM）は不揮発性メモリの中では消費電力が低く多数回の高速書換えに特徴があり，非接触ICカード，機器の電源切断直前機器の電源切断直前のデータ退避，認証用ICに用いられている．前半はFeRAMの研究の歴史，他のメモリとの比較，現在及び将来の応用例を示す．後半は技術的解説で強誘電体キャパシタの分極量と電圧のヒステリシス曲線，2トランジスタ2キャパシタ（2T2C）セルの基本的動作，信頼性にかかわる分極量の減少要因を概観する．FeRAMの今後の発展には強誘電体の物性面の改善と，セルの特性を把握した駆動方法の選択が重要である．

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