極限集積化を目指すスーパチップ

小柳　光正; 福島　誉史; 李　康旭; 田中　徹

あらまし

極限集積化を目指すスーパチップ

小柳　光正福島　誉史李　康旭田中　徹

Vol.93 No.11pp.918-922

発行日:2010/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術──2020年を見据えて──

専門分野:

キーワード:
三次元LSI, シリコン貫通配線(TSV), ウェーハ積層, ウェーハ接合, セルフアセンブリ, マイクロバンプ,

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あらまし:
これまで，LSI は，半導体素子の微細化により，著しい速度で高性能化，大容量化が達成されてきた．しかし，素子の微細化に伴い，漏れ電流の増加や特性ばらつきの増加など，素子の微細化を妨げる要因が顕在化してきている．そのため，今後のLSI 開発は，これらの要因を取り除きながら素子の微細化を更に進める手法（More Moore 技術）と，異種技術を融合する新しい集積化手法（More than Moore技術）を協調，共存させながら進めていくことが重要になる．本稿では，異種技術集積化の代表的な例として，スーパチップと呼ばれる新しい三次元集積化技術について言及する．

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