ワイドギャップ半導体によるパワーエレクトロニクスの革新

奥村　元

あらまし

奥村　元

Vol.93 No.11pp.958-963

発行日:2010/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術──2020年を見据えて──

専門分野:

キーワード:
ワイドギャップ半導体, パワーデバイス, パワー半導体, 炭化けい素, 窒素ガリウム, スイッチングデバイス, インバータ,

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あらまし:
近年，SiC やGaN 等のワイドギャップ半導体が，電力エネルギーをつかさどるパワーエレクトロニクスにおいて大いに期待されている．これらの半導体結晶は，飽和ドリフト速度，絶縁破壊電界といった物性値がSi 等に比べて大きく，パワーエレクトロニクス応用にとって極めて有望な半導体材料とみなされている．その革新のためには，これらワイドギャップ半導体を用いた高性能パワーデバイスの開発が必須であるが，近年の技術革新でそれが現実のものとなりつつある．本稿では，今後のエレクトロニクスの意義やパワーエレクトロニクスの重要性，そのキーデバイスと期待されるワイドギャップ半導体高出力パワーデバイスの開発現状と応用展開，更には実用化の鍵となるデバイス信頼性やウェーハ品質等の課題について解説する．

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