あらまし

ナノスケールInGaAs/InAlAs 系HEMT を用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC

渡邊 一世 遠藤 聡 山下 良美 広瀬 信光 三村 高志 松井 敏明 

Vol.93 No.2pp.118-124

発行日:2010/02/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集 最新のミリ波技術の動向

専門分野:

キーワード:
InGaAs/InAlAs 系HEMTミリ波帯MMIC遮断周波数ƒT最大発振周波数ƒmax最小雑音指数NFmin

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あらまし:
InP 基板上に作製したInGaAs/InAlAs 系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30~300GHz)及びサブミリ波帯(300GHz~3THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信やミリ波・サブミリ波帯などの未利用周波数帯の開発のキーデバイスとして注目されている.今後, HEMT 単体の更なる高性能化とともに集積回路への発展も期待されており,今回,ナノスケールInGaAs/InAlAs 系HEMT を作製し,そのデバイス特性を評価した.更に,ナノスケールHEMT を用いたE バンド(60~90GHz)で動作するミリ波帯MMIC の試作評価結果について報告するとともに,今後の高速電子デバイス及びミリ波帯MMIC ついて展望する.

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