SiC パワーエレクトロニクスの最新研究開発動向

奥村　元

あらまし

奥村　元

Vol.95 No.11pp.1003-1008

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
SiC（炭化けい素）, ワイドギャップ半導体, パワーデバイス, パワー半導体, スイッチングデバイス, パワーエレクトロニクス, インバータ, 電力変換,

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あらまし:
近年，SiC に代表されるワイドギャップ半導体をパワーエレクトロニクスへ活用する動きが注目されている．SiC は，飽和ドリフト速度，絶縁破壊電界といった物性値がSi 等に比べて大きく，省エネの観点からパワーデバイス応用に極めて有望な材料とみなされている．その革新のためには，高性能パワーデバイスやその応用技術の開発が必須であるが，ここ数年の進展で多くの実用的な性能実証がなされた．本稿では，今後のパワーエレクトロニクス技術開発，そのキーデバイスと期待されるSiC 高出力パワーデバイスの開発現状と応用展開，更には実用化の鍵となる信頼性等の課題について解説する．

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