あらまし

SiC パワーエレクトロニクスの最新研究開発動向

奥村 元 

Vol.95 No.11pp.1003-1008

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

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キーワード:
SiC(炭化けい素)ワイドギャップ半導体パワーデバイスパワー半導体スイッチングデバイスパワーエレクトロニクスインバータ電力変換

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あらまし:
近年,SiC に代表されるワイドギャップ半導体をパワーエレクトロニクスへ活用する動きが注目されている.SiC は,飽和ドリフト速度,絶縁破壊電界といった物性値がSi 等に比べて大きく,省エネの観点からパワーデバイス応用に極めて有望な材料とみなされている.その革新のためには,高性能パワーデバイスやその応用技術の開発が必須であるが,ここ数年の進展で多くの実用的な性能実証がなされた.本稿では,今後のパワーエレクトロニクス技術開発,そのキーデバイスと期待されるSiC 高出力パワーデバイスの開発現状と応用展開,更には実用化の鍵となる信頼性等の課題について解説する.

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