あらまし
GaNパワーデバイスの進展と展望
Vol.95 No.11pp.1009-1013
発行日:2012/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術
専門分野:
キーワード:
GaN, パワーデバイス, トランジスタ, ダイオード, インバータ, PFC 回路,
本文:PDF(1.4MB)>>
あらまし:
パワーデバイスは民生及び産業機器の電力変換部分において幅広く用いられている．これまでは材料としてSi（シリコン）が用いられてきたが，その材料物性で決まる性能限界に近づいており，損失低減や高速化といった性能向上が限界に近づいている．GaN（窒化ガリウム）は高い電子移動度，絶縁破壊電界を有しており，高耐圧かつ大電流・低オン抵抗を実現できる将来のパワーデバイス材料として非常に有望である．本稿では，GaN パワーデバイスの最新技術と，これらをパワースイッチング回路に応用して低損失動作を実現した結果について報告する．
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