限界に挑戦するフラッシュメモリとSSD の最新動向

竹内　健

あらまし

竹内　健

Vol.95 No.11pp.979-985

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
フラッシュメモリ, SSD, データセンター, ナノテクノロジー,

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あらまし:
NAND 形フラッシュメモリはディジタルカメラ・携帯電話・音楽プレーヤ等の携帯デバイスの記憶媒体として使用されている．更に，フラッシュメモリ・NAND コントローラ・DRAM で構成されるソリッドステートドライブ（SSD）として，パソコンやデータセンターのサーバなどのHDD を置き換え，消費電力が少なく地球環境に優しいIT システムを実現することが期待されている．フラッシュメモリは現在20 nm 技術により64 Gbit まで大容量化されているが，データセンターではTbit 以上の大容量が必要とされ，フラッシュメモリのより一層の低消費電力化・高信頼性化・大容量化が求められている．本稿ではフラッシュメモリ及びSSD の現状と将来動向を紹介する．

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