あらまし

シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

遠藤 哲郎 大澤 隆 小池 洋紀 羽生 貴弘 笠井 直記 大野 英男 

Vol.95 No.11pp.986-991

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
スピントルクMTJメモリ不揮発性論理回路

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あらまし:
近年,電子機器の消費電力の増大から,不揮発性で高速動作可能なワーキングメモリが渇望されている.本稿では,磁気トンネル接合素子(MTJ : Magnetic Tunnel Junction)を用いたスピントルク注入(STT : Spin-Torque Transfer)方式に基づく磁気メモリの技術動向を論ずる.まず,高密度性に優れる1MTJ+1Tr 型,及び高速性に優れる2MTJ+4Tr型の各STT 磁気メモリについて述べ,続いてCMOS と不揮発性を融合させた論理回路の基本メモリとなるMTJ 不揮発性ラッチ回路について述べる.最後に,電子機器の高速動作/低消費電力化に対する磁気メモリ技術のインパクトを論ずる.

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