あらまし

抵抗変化メモリReRAM の技術開発最新動向

島　久 澤　彰仁 

Vol.95 No.11pp.992-997

発行日:2012/11/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:特集　世界的な競争領域にある最先端デバイス技術

専門分野:

キーワード:
抵抗変化メモリ, 不揮発性メモリ, 遷移金属酸化物, 酸化・還元反応, 

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あらまし:
遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAM（Resistive Random Access Memory）は，メモリ動作の省電力性，CMOS プロセスとの高い親和性，スケーラビリティに優れたメモリ技術であり，次世代不揮発性メモリの有力候補である．本稿では，ReRAM の動作性能について技術開発の最新動向を紹介するとともに，実用化に必須なReRAM の信頼性向上や，メモリアレーの更なる高集積化に向けて検討を進めるべき技術課題について概説する．

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