Si パワーエレクトロニクス(最先端IGBT)の最新動向
Vol.95 No.11pp.998-1002
発行日:2012/11/01
Online ISSN:2188-2355
Print ISSN:0913-5693
種別:特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術
専門分野:
キーワード:
IGBT, 高パワー密度化, 薄ウェーハ化, RFC構造, トランスファモールド,
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あらまし:
エネルギー需要は増加の一途であり,パワーエレクトロニクス技術の発展によるエネルギーの効率的な運用が必要不可欠である.パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は,チップの構造・プロセス設計技術だけでなく,高温化・高信頼性を追及したパッケージ技術も合わせて重要な技術要素を基に成り立っている.これら技術要素を含めた最先端IGBTの動向を述べる.