酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後

東脇　正高

あらまし

東脇　正高

Vol.97 No.3pp.205-208

発行日:2014/03/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望

専門分野:

キーワード:
酸化ガリウム（Ga₂O₃）, パワーデバイス, MOSFET, 単結晶バルク・基板, 融液成長,

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あらまし:
近年，現状のシリコン（Si）よりも更に高耐圧・低損失なパワーデバイスの実現が期待できるシリコンカーバイド（SiC），窒化ガリウム（GaN）といったワイドギャップ半導体材料が注目されている．一方，我々が提案する酸化ガリウム（Ga₂O₃）は，次世代パワーデバイス用途の新半導体材料としてSiC，GaNに優るとも劣らない優れた材料物性を有する．また，原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を，融液成長法により安価，簡便に作製することができるという産業上の大きな利点も併せ持つ．本稿では，材料物性から判断するGa₂O₃パワーデバイスの位置付け，特徴について述べた後，単結晶Ga₂O₃バルク及び基板作製技術について紹介する．続いて，現在までの我々の代表的な研究成果に相当するGa₂O₃ MOSFETについて述べる．

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