あらまし

データセンター向けSSDへの適用を目指した新型相変化デバイスのTRAMの開発に成功――新しいGeTe/Sb2Te3超格子構造により高速・低電力・高信頼化を実現――

[担当委員] 山口　真澄 

Vol.98 No.1pp.63-65

発行日:2015/01/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:ニュース解説

専門分野:

キーワード:
---

本文:PDF(785.9KB)>>

記事を購入

あらまし:

ログイン

 > 

パスワードを忘れた場合は

メニュー

Online ISSN:2188-2355

…ジュニア会員・学生員に
　お勧めの記事