著者検索結果：菅野卓雄(43件)
| Vol.55 No.4 pp.498-501 4．2 シリコン表面反転層中の電導現象 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(271.4KB) |
| Vol.54 No.9 pp.1268-1275 電荷結合素子 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(483.9KB) |
| Vol.52 No.9 pp.1071-1073 1969 ISSCCに出席して 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(217.5KB) |
| Vol.51 No.3 pp.390-391 半導体の物理に関する図書紹介 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(213.9KB) |
| Vol.51 No.3 pp.332-341 半導体の物理〔完〕 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(629.4KB) |
| Vol.51 No.2 pp.217-227 半導体の物理〔II〕 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(647.5KB) |
| Vol.51 No.1 pp.106-115 半導体の物理〔I〕 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(626.7KB) |
| Vol.50 No.6 pp.1045-1052 シリコンと二，三の金属との接触の特性 菅野卓雄 森野明彦 越賀夫差子 三島克彦 西干機 松田誠道 | あらまし | 本文:PDF(541.5KB) |
| Vol.50 No.6 pp.1053-1060 ショットキーダイオードの設計と試作 菅野卓雄 森野明彦 | あらまし | 本文:PDF(533.9KB) |
| Vol.49 No.10 pp.1887-1895 Si～SiO2界面における熱応力とひずみ 菅野卓雄 懸本和朗 | あらまし | 本文:PDF(505.8KB) |
| Vol.49 No.4 pp.575-583 半導体素子 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(702.3KB) |
| Vol.47 No.12 pp.1904-1905 第47巻第1号掲載有住，和田両氏の論文に対する討論 柳井久義 菅野卓雄 多田邦彦 | あらまし | 本文:PDF(147.3KB) |
| Vol.47 No.4 pp.629-637 トランジスタの小信号動作理論に対する基礎的一考察 柳井久義 菅野卓雄 鈴木角五郎 多田邦雄 佐々木新 | あらまし | 本文:PDF(517.1KB) |
| Vol.46 No.4 pp.577-582 コレクタでの少数キャリア蓄積効果とトランジスタの蓄積時間 柳井久義 菅野卓雄 多田邦雄 | あらまし | 本文:PDF(389.2KB) |
| Vol.46 No.3 pp.323-329 多層RC分布定数素子とその特性 柳井久義 菅野卓雄 佐々木元 吉田実 | あらまし | 本文:PDF(445.9KB) |
| Vol.45 No.8 pp.1064-1070 ドリフト・トランジスタの電流増幅率の周波数特性 菅野卓雄 越賀夫差子 | あらまし | 本文:PDF(392.8KB) |
| Vol.44 No.5 pp.850-851 春日井，西沢両氏の討論に対する回答 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(182.6KB) |
| Vol.43 No.4 pp.418-423 （A）概説 柳井久義 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(450.7KB) |
| Vol.43 No.3 pp.280-285 合金接合トランジスタのベース抵抗 菅野卓雄 | あらまし | 本文:PDF(381.3KB) |
| Vol.43 No.1 pp.19-25 トランジスタの低周波（0．1～100kc）hパラメタ測定器 柳井久義 菅野卓雄 片山芳昭 | あらまし | 本文:PDF(459.7KB) |
ログイン
メニュー
Online ISSN:2188-2355
…ジュニア会員・学生員にお勧めの記事