スピントロニクス技術の進展とMRAM，論理演算素子への応用

與田　博明

あらまし

與田　博明

Vol.107 No.4pp.327-333

発行日:2024/04/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:小特集　AIチップに向けた不揮発性メモリ技術とその展望

専門分野:

キーワード:
スピントロニクス, MRAM, SOT, Logic-gate, Strain,

本文:PDF(1.4MB)>>

あらまし:
MRAMは，スタンドアローン用不揮発性メモリ，並びに混載用不揮発性メモリとして実用化され，スピントロニクス技術の進展に伴い高集積化，書込み・読出しスピードの高速化が進展してきた．具体的には，磁界書込み原理，STT書込み原理，垂直磁化方式のMTJを用いたSTT書込みといった新たな原理の書込み技術の開発が高集積化及び書込みスピードの高速化に寄与し，GMR効果，TMR効果，MgOトンネル障壁を用いたTMR効果増大といった新たな読出し技術の開発がMRAMの高集積化，読出しスピードの高速化に寄与してきた．一方，これらの先の技術として位置付けられて期待されているスピントロニクス技術として「SOT書込み原理」と「VCMA効果を利用した電圧書込み原理」があり，これら新規スピントロニクス技術をいかにMRAMあるいは他のセミコンダクタ製品に応用していけるかが，実用化研究・開発の焦点となっている．本稿では，これら新規スピントロニクス技術に焦点を当て，その実用化研究・開発の現状についてレビューする．

あらまし

ログイン

メニュー