Vol.77 No.9 pp.976-979 強誘電体メモリの開発動向と将来 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(208KB) |
Vol.76 No.1 pp.63-64 バイルール-IC産業の順調な発展のために守るべきルール- 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(111KB) |
Vol.70 No.7 pp.664-671 1.今後10年の発展と限界-集積回路- 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(491.4KB) |
Vol.68 No.12 pp.1350-1353 ULSIの時代は来るか 垂井康夫 可児賢二 伊藤清男 久留勇 小池康允 | Summary | Full Text:PDF(269.9KB) |
Vol.67 No.10 pp.1029-1034 日本におけるIC技術の芽生え 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(387.2KB) |
Vol.65 No.11 pp.1140-1145 1.マイクロエレクトロニクスの進歩 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(347.7KB) |
Vol.64 No.5 pp.540-543 機器LSI化の効用と問題点 渡辺誠 垂井康夫 西野博二 今岡純雄 金井久雄 永田穣 | Summary | Full Text:PDF(249.6KB) |
Vol.62 No.4 pp.364-376 1.超LSIの歩み 垂井康夫 鳳紘一郎 | Summary | Full Text:PDF(753.2KB) |
Vol.59 No.2 pp.123-129 4.デバイスの極限寸法化とその特性 関川敏弘 林豊 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(397.4KB) |
Vol.57 No.3 pp.357-358 徳山巍:“MOSデバイス” 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(138.2KB) |
Vol.56 No.5 pp.686-688 集積回路のもっている可能性 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(192.6KB) |
Vol.55 No.4 pp.535-539 6.2 FET-ICの進歩 林豊 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(330.2KB) |
Vol.55 No.4 pp.531-534 6.1 FETの進歩 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(226.4KB) |
Vol.54 No.7 pp.1038-1038 日本物理学会:“結晶の加工と表面” 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(95.9KB) |
Vol.53 No.2 pp.213-218 集積回路-5.MOS集積回路- 垂井康夫 林豊 | Summary | Full Text:PDF(413.6KB) |
Vol.52 No.11 pp.1359-1366 半導体素子 垂井康夫 小宮祥男 | Summary | Full Text:PDF(521.3KB) |
Vol.51 No.1 pp.162-162 集積回路に関する図書紹介 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(80.7KB) |
Vol.49 No.4 pp.538-546 半導体集積回路 百田恒夫 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(1MB) |
Vol.49 No.4 pp.773-774 MOSトランジスタ線形集積回路に関する考察-利得の線形性について- 林豊 垂井康夫 | Summary | Full Text:PDF(159.2KB) |
Vol.47 No.12 pp.1855-1863 トランジスタのベース抵抗の測定 垂井康夫 川城三治 鳴神長昭 | Summary | Full Text:PDF(491.5KB) |