Author Search Result：垂井康夫(23hit)

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Vol.77 No.9 pp.976-979  
強誘電体メモリの開発動向と将来
垂井康夫 
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Vol.76 No.1 pp.63-64  
バイルール－IC産業の順調な発展のために守るべきルール－
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(111KB)

Vol.70 No.7 pp.664-671  
1．今後10年の発展と限界－集積回路－
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(491.4KB)

Vol.68 No.12 pp.1350-1353  
ULSIの時代は来るか
垂井康夫 可児賢二 伊藤清男 久留勇 小池康允 
Summary | Full Text:PDF(269.9KB)

Vol.67 No.10 pp.1029-1034  
日本におけるIC技術の芽生え
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(387.2KB)

Vol.65 No.11 pp.1140-1145  
1．マイクロエレクトロニクスの進歩
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(347.7KB)

Vol.64 No.5 pp.540-543  
機器LSI化の効用と問題点
渡辺誠 垂井康夫 西野博二 今岡純雄 金井久雄 永田穣 
Summary | Full Text:PDF(249.6KB)

Vol.62 No.4 pp.364-376  
1．超LSIの歩み
垂井康夫 鳳紘一郎 
Summary | Full Text:PDF(753.2KB)

Vol.59 No.2 pp.123-129  
4．デバイスの極限寸法化とその特性
関川敏弘 林豊 垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(397.4KB)

Vol.57 No.3 pp.357-358  
徳山巍：“MOSデバイス”
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(138.2KB)

Vol.56 No.5 pp.686-688  
集積回路のもっている可能性
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(192.6KB)

Vol.55 No.4 pp.535-539  
6．2　FET-ICの進歩
林豊 垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(330.2KB)

Vol.55 No.4 pp.531-534  
6．1　FETの進歩
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(226.4KB)

Vol.54 No.7 pp.1038-1038  
日本物理学会：“結晶の加工と表面”
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(95.9KB)

Vol.53 No.2 pp.213-218  
集積回路－5．MOS集積回路－
垂井康夫 林豊 
Summary | Full Text:PDF(413.6KB)

Vol.52 No.11 pp.1359-1366  
半導体素子
垂井康夫 小宮祥男 
Summary | Full Text:PDF(521.3KB)

Vol.51 No.1 pp.162-162  
集積回路に関する図書紹介
垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(80.7KB)

Vol.49 No.4 pp.538-546  
半導体集積回路
百田恒夫 垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(1MB)

Vol.49 No.4 pp.773-774  
MOSトランジスタ線形集積回路に関する考察－利得の線形性について－
林豊 垂井康夫 
Summary | Full Text:PDF(159.2KB)

Vol.47 No.12 pp.1855-1863  
トランジスタのベース抵抗の測定
垂井康夫 川城三治 鳴神長昭 
Summary | Full Text:PDF(491.5KB)

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Online ISSN:2188-2355