化合物半導体技術のエレクトロニクスへの展開

上田　大助; 田中　毅; 瀧川　信一

あらまし

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化合物半導体技術のエレクトロニクスへの展開

上田　大助田中　毅瀧川　信一

Vol.100 No.9pp.919-924

発行日:2017/09/01

Online ISSN:2188-2355

Print ISSN:0913-5693

種別:創立100周年記念特集　エレクトロニクスが創り出したもの，創り出すもの

専門分野:

キーワード:
半導体レーザ, 発光ダイオード, パワーMOS, シリコンカーバイド, 窒化ガリウム,

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あらまし:
化合物半導体のエレクトロニクスにおける用途は発光デバイスと高周波デバイス，パワーデバイスが主である．化合物半導体の多くは直接遷移形の半導体であり，電流注入で発光させることができる．一方，電子の飽和速度が大きいGaAsやInPなどの化合物半導体は，高速・高周波デバイスとして使用される．高周波用途の化合物半導体については，本特集1-4の「ワイヤレスインターネット社会を支える高周波集積回路技術」の解説に譲り，本稿では，発光デバイスとともに，化合物半導体の中でワイドバンドギャップ半導体を用いるパワーデバイスについて，Siパワーデバイスと比較しながら概説する．

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